Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs
Overview & Synopsis
L'excès de courant de fuite de grille dans les JFET InGaAs a été attribué à l'ionisation par impact dans la région de champ électrique élevé dans le canal du transistor. Actuellement, cet excès de courant de fuite de grille apparaît également dans les FET à hétérostructures InAlAs/InGaAs. Une modélisation précise basée sur un modèle distribué confirme cette hypothèse d'ionisation par impact dans le canal et permet une évaluation du coefficient d'ionisation qui est de 30 cm-1 pour un champ électrique de 4,5 x 10^4 V/cm avec un dopage du canal de 2 × 10^16 cm-3 .
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Document Information
| Document Title | Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs |
|---|---|
| Author / Organization | P. Carer, E. Caquot, J.C. Renaud, L. Nguyen, A. Scavennec |
| Subject & Discipline | Multidisciplinary Academic Open Research |
| Categories | Science & Mathematics |
| Publication Year | 1990 |
| License / Rights | Open Access / Creative Commons |
| Resource Verification | Listed PDF (Verification Pending) |
| Original Host Website |
HAL Open Science
(hal.science)
|
| File Format | application/pdf (Portable Document Format) |
| Language | EN |
| Catalog ID | DOC-32087 |
| Original Source Link | Visit Source Page on hal.science » |