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P. Carer, E. Caquot, J.C. Renaud, L. Nguyen, A. Scavennec

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Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs

Year: 1990 • Source: hal.science • Listed PDF

L'excès de courant de fuite de grille dans les JFET InGaAs a été attribué à l'ionisation par impact dans la région de champ électrique élevé dans le canal du transistor. Actuellement, cet excès de courant de fuite de gri...