Elaboration de diamant CVD épitaxié sur silicium : caractérisations physico-chimiques et structurales des premiers stades, optimisation de l'interface

Overview & Synopsis

Le diamant est un semi-conducteur à grande bande interdite extrêmement prometteur, notamment en électronique et en radiodétection. Notre étude s'intéresse à la production de films diamant en hétéroépitaxie sur du silicium. Cette association constitue en effet un enjeu majeur compte tenu de l'importance du silicium en microélectronique. Les films sont obtenus par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma microonde (MPCVD), tandis qu'une procédure de polarisation (BEN) sert à initier la germination. L'objectif est d'améliorer le taux d'épitaxie des cristaux diamant et leur densité, deux critères décisifs pour la qualité d'un film diamant hautement orienté. Des analyses MEB, AFM, XPS et RHEED ont ainsi montré que la formation d'une couche de carbure de silicium intermédiaire par carbonisation in situ est très avantageuse, mais qu'elle impose l'utilisation d'une courte durée de polarisation afin de préserver l'intégrité de la couche. Une faible concentration en méthane permet par ailleurs d'éviter une croissance dégradée du diamant. Ces ajustements ont permis de passer d'un taux d'épitaxie de 10 à 45 %, au détriment cependant de la densité. Ceci a pu être compensé par l'amélioration de l'état de surface du substrat via un prétraitement plasma modifiant sa structure (densité multipliée par 20) ou en déposant du carbure de silicium monocristallin. Cette dernière méthode a engendré une germination du diamant « par domaine », très prometteuse et inédite sur ce matériau. Ces travaux montrent donc comment améliorer la qualité de la germination du diamant et permettent d'envisager la production sur silicium de films diamant plus minces et de meilleure qualité cristalline.