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Cyril Sarrieu

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Elaboration de diamant CVD épitaxié sur silicium : caractérisations physico-chimiques et structurales des premiers stades, optimisation de l'interface

Year: 2011 • Source: hal.science • Listed PDF

Le diamant est un semi-conducteur à grande bande interdite extrêmement prometteur, notamment en électronique et en radiodétection. Notre étude s'intéresse à la production de films diamant en hétéroépitaxie sur du siliciu...