Analyse des conditions de croissance de GaxIn(1- x)As/InP par la méthode aux hydrures
Overview & Synopsis
L'épitaxie de GaxIn(1-x)As/InP est étudiée en phase vapeur par la méthode aux hydrures. Deux séries d'expériences ont été effectuées respectivement, à haute température et basse température. Les résultats obtenus sont interprétés à partir d'une théorie cinétique qui prend en compte les réactions de déchloruration de la surface, le cracking de l'arsine et le non-équilibre entre les espèces As2 et As 4.
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Document Information
| Document Title | Analyse des conditions de croissance de GaxIn(1- x)As/InP par la méthode aux hydrures |
|---|---|
| Author / Organization | A. Porte, F. Lassalle, C. Pariset, Malo Cadoret, L. Chaput, R. Cadoret |
| Subject & Discipline | Multidisciplinary Academic Open Research |
| Categories | Science & Mathematics |
| Publication Year | 1989 |
| License / Rights | Open Access / Creative Commons |
| Resource Verification | Listed PDF (Verification Pending) |
| Original Host Website |
HAL Open Science
(hal.science)
|
| File Format | application/pdf (Portable Document Format) |
| Language | EN |
| Catalog ID | DOC-32284 |
| Original Source Link | Visit Source Page on hal.science » |