Le transistor-thyristor métal-oxyde-semiconducteur (T2 MOS)
Overview & Synopsis
On présente un nouveau composant planar contrôlé par un effet « Métal-Oxyde-Semiconducteur », dont les caractéristiques électriques peuvent être : i) de type transistor MOS, ii) de type thyristor MOS ou bien iii) être la combinaison des deux précédentes. On l'appelle le « transistor-thyristor MOS » ou T2 MOS. Un exemple de réalisation technologique est décrit et les caractéristiques électriques sont présentées. Des variantes de configurations par rapport à la géométrie de ce prototype sont suggérées. Des utilisations possibles de ces structures sont évoquées.
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Document Information
| Document Title | Le transistor-thyristor métal-oxyde-semiconducteur (T2 MOS) |
|---|---|
| Author / Organization | Henri Tranduc, P. Rossel, Mohamed Gharbi, Jean-Louis Sanchez, G. Charitat |
| Subject & Discipline | Multidisciplinary Academic Open Research |
| Categories | Science & Mathematics |
| Publication Year | 1985 |
| License / Rights | Open Access / Creative Commons |
| Resource Verification | Listed PDF (Verification Pending) |
| Original Host Website |
HAL Open Science
(hal.science)
|
| File Format | application/pdf (Portable Document Format) |
| Language | EN |
| Catalog ID | DOC-2873 |
| Original Source Link | Visit Source Page on hal.science » |