Oxydation du silicium par bombardement électronique. Influence de la pollution par le carbone
Overview & Synopsis
L'oxydation du silicium monocristallin a été effectuée par bombardement électronique dans les trois conditions suivantes : 1) dans l'atmosphère résiduelle de l'enceinte à vide après isolation du groupe de pompage, 2) dans les mêmes conditions après introduction d'oxygène sec, 3) en présence d'un flux constant d'oxygène sec dans l'enceinte à vide. Les oxydes sont analysés par spectrométrie Auger en cours d'oxydation. Les oxydes obtenus sont comparés entre eux et à l'oxyde thermique. L'influence de l'atmosphère résiduelle est montrée.
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Document Information
| Document Title | Oxydation du silicium par bombardement électronique. Influence de la pollution par le carbone |
|---|---|
| Author / Organization | L. Pilorget, J.L. Chartier, R. Le Bihan |
| Subject & Discipline | Multidisciplinary Academic Open Research |
| Categories | Science & Mathematics |
| Publication Year | 1985 |
| License / Rights | Open Access / Creative Commons |
| Resource Verification | Listed PDF (Verification Pending) |
| Original Host Website |
HAL Open Science
(hal.science)
|
| File Format | application/pdf (Portable Document Format) |
| Language | EN |
| Catalog ID | DOC-2842 |
| Original Source Link | Visit Source Page on hal.science » |