Méthode itérative de calcul des concentrations en éléments donneurs et accepteurs d'un semiconducteur faiblement dopé : application au cas de GaAs de type n

Overview & Synopsis

Lors de la recherche des concentrations en impuretés dans un semiconducteur, il a toujours été fait abstraction jusqu'à présent de la valeur réelle du facteur de dispersion rH qui a été prise constante et égale à 1. Or, cette valeur peut dans certains cas atteindre et même dépasser 1,5. Une méthode numérique itérative est développée ici dans le cas de GaAs de type n, permettant de calculer à la fois la valeur du facteur de dispersion rH en fonction de la température et les concentrations en impuretés de l'échantillon considéré.