Hétérojonctions ZnTe/GaAlSb préparées par épitaxie en phase liquide

Overview & Synopsis

Des hétérojonctions (p) ZnTe/(n) Ga1-xAl xSb ont été obtenues par épitaxie en phase liquide de Ga1- xAlxSb dopé au tellure sur substrat ZnTe dopé au phosphore, la concentration en AlSb des couches épitaxiées variant de 0 à 0,60. La présence, à l'interface substrat-dépôt, d'un alliage quinaire (Ga1-xAlx)1- yZnySb1-zTe z a été mise en évidence par analyse des structures à l'aide d'une microsonde électronique de Castaing. Les couches épitaxiées, de type n, sont fortement dopées au tellure (de l'ordre de 1 % atomique). Une diffusion des éléments Ga, Al et Sb du dépôt dans le substrat de ZnTe a été détectée par S.I.M.S. sur une profondeur d'environ 10 μ. Cette diffusion rend le ZnTe semi-isolant, et luminescent dans le rouge. L'analyse des caractéristiques courant-tension à diverses températures laisse supposer que le courant direct est un courant de recombinaison de trous excités thermiquement dans la bande de valence. L'étude de la réponse spectrale montre que seuls les porteurs minoritaires du côté de ZnTe participent à la conduction sous éclairement. Une structure de bandes d'énergie est proposée pour une hétérojonction (p) ZnTe/(n) Ga0,40Al0,60Sb.