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CARACTERISATION EXPERIMENTALE ET SIMULATION PHYSIQUE DES MECANISMES DE DEGRADATION DES INTERCONNEXIONS SANS PLOMB DANS LES TECHNOLOGIES D'ASSEMBLAGE A TRES FORTE DENSITE D'INTEGRATION " BOITIER SUR BOITIER
Wei Feng

CARACTERISATION EXPERIMENTALE ET SIMULATION PHYSIQUE DES MECANISMES DE DEGRADATION DES INTERCONNEXIONS SANS PLOMB DANS LES TECHNOLOGIES D'ASSEMBLAGE A TRES FORTE DENSITE D'INTEGRATION " BOITIER SUR BOITIER

Author / Organization:
Science & Mathematics Published 2010 Verification Pending

Overview & Synopsis

Les assemblages PoP pour " Package on Package " permettent d'augmenter fortement la densité d'intégration des circuits et systèmes microélectroniques, par superposition de plusieurs éléments semi-conducteurs actifs. Les interconnexions internes de ces systèmes sont alors soumises à des contraintes jamais atteintes. Nous avons pu identifier, caractériser, modéliser et simuler les mécanismes de défaillance potentiels propres à ces assemblages, et leur évolution : * Les gauchissements dans la phase d'assemblage du " PoP " et ses contraintes thermomécaniques sont plus importants que ceux de chacun des composants individuels. Un modèle analytique original a été construit et mis en ligne afin d'évaluer a priori ce gauchissement. * Les comportements hygroscopiques et hygromécaniques sont simulés et mesurés par une approche originale. L'assemblage " PoP " absorbe plus d'humidité que la somme des deux composants individuels, mais son gauchissement hygromécanique et ses contraintes hygromécaniques sont moins élevées. * Deux types d'essais de vieillissement accéléré sont réalisés pour étudier la fiabilité du " PoP " assemblé sur circuit imprimé : des cycles thermiques et des tests sous fort courant et température élevée. Dans ces deux types d'essais, l'assemblage d'un composant " top " sur un autre composant " bottom " pour former un PoP augmente les risques de défaillances. * L'évolution de la microstructure selon le type de vieillissement est comparée par des analyses physiques et physico-chimiques. Les fissures sont toujours situées dans l'interface substrat/billes, qui correspond aux zones critiques prédites par les simulations.

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Document Information

Document Title CARACTERISATION EXPERIMENTALE ET SIMULATION PHYSIQUE DES MECANISMES DE DEGRADATION DES INTERCONNEXIONS SANS PLOMB DANS LES TECHNOLOGIES D'ASSEMBLAGE A TRES FORTE DENSITE D'INTEGRATION " BOITIER SUR BOITIER
Author / Organization Wei Feng
Subject & Discipline Multidisciplinary Academic Open Research
Categories Science & Mathematics
Publication Year 2010
License / Rights Open Access / Creative Commons
Resource Verification Listed PDF (Verification Pending)
Original Host Website HAL Open Science (hal.science)
File Format application/pdf (Portable Document Format)
Language EN
Catalog ID DOC-224786
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