Développement de magnétomètres intégrés à base de jonctions tunnel magnétiques à couple de transfert de spin

Overview & Synopsis

Cette thèse présente l'utilisation de STT-MTJs perpendiculaires, développées initialement pour les MRAMs, en tant que capteurs magnétiques intégrés. Les MRAMs basées sur des MTJs utilisent généralement l'effet STT pour modifier l'orientation de l'aimantation d'une couche ferromagnétique douce en appliquant une forte tension aux bornes de la MTJ. Cela conduit à un changement de résistance permettant de placer la MTJ dans deux états distincts, parallèle et antiparallèle. Cependant, la tension nécessaire pour provoquer le retournement de l'aimantation de la couche douce dépend du champ magnétique externe. En utilisant cette propriété, nous explorons une nouvelle application des STT-MTJs qui consiste à les utiliser comme capteurs magnétique présentant des avantages significatifs par rapport aux capteurs à effet Hall et magnétorésistifs. Leurs dimensions nanométriques ainsi que leurs bandes passantes élevées permettent le développement de nouvelles applications.