Caractérisation des défauts produits dans GaAs irradié aux protons par analyse des transitoires thermiques et optiques de capacité

Overview & Synopsis

Nous avons analysé, par spectroscopie capacitive thermique (DLTS, conductance) les défauts créés à 300 K et à 77 K par irradiation de protons (énergie 90 keV, dose : quelque 1011 ions/cm2) dans des diodes Schottky Au-GaAs de type n. A 300 K, les défauts produits sont les pièges à électrons E2, E3, E4, E5 trouvés après irradiation aux électrons. A dose d'implantation moyenne, un autre défaut (E c - 0,3 eV, σna = 3 × 10-14 cm2) est mis en évidence. A 77 K, un nouveau piège à électron (Ec - 0,26 eV, σna = 9 x 10-13 cm2) qui se recuit entre 200 K et 300 K est observé. Les défauts E2 et E3 sont aussi produits après une irradiation à basse température. Des résultats préliminaires concernant l'évolution de ces pièges lors des étapes de recuit entre 200 K et 300 K sont donnés. Nous avons également appliqué la nouvelle méthode de DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) à la mesure de la section efficace de capture optique σ0n( hv) de E3, ce qui nous a permis de préciser l'effet de relaxation de réseau sur ce centre.