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P. Bourel, Jean-Luc Thobel, K. Bellahsni, M. Pemisek, R. Fauquembergue

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Etude theorique du transPort électronique et du contrôle de charge dans AlO,48In0,52As/Ga0,47In0,53As/InP. Applications a la realisation de HEMT

Year: 1991 • Source: hal.science • Listed PDF

Ce travail a pour but d'étudier les potentialités de l'hétérojonction AlInAs/GaInAs pour la réalisation de transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT). Dans un premier temps, les phénomènes fondamentaux gouvernant le...