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A. Boucher, J.P. Chané, E. Fabre

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Contrôle du dopage dans la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium

Year: 1971 • Source: hal.science • Listed PDF

Nous présentons nos résultats récemment acquis dans la maîtrise du niveau et du profil de dopage de couches d'arséniure de gallium préparées par épitaxie en phase vapeur. Nous décrivons un procédé de dopage par rétrodiff...