载流导体邻近与趋肤效应及电流频率对三相共箱式GIS温升的影响
Journal: Gaoya dianqi
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• Editorial Department of High Voltage Apparatus
• ISSN:
1001-1609
Abstract
为了准确计算GIS的温升,探究了载流导体邻近与趋肤效应及电流频率对三相共箱式GIS温升的影响。将弹簧触指和梅花触指均简化为圆环体来模拟电接触。采用三维多物理场耦合的方法,计算并对比了考虑与不考虑载流导体邻近与趋肤效应时的GIS的欧姆损耗和温度分布,比较了不同频率对GIS温升的影响。搭建温升试验平台验证了仿真结果的正确性。结果表明,三相共箱式GIS载流导体的邻近与趋肤效应所产生的的附加损耗较大,其影响不可忽略;相比于不考虑邻近与趋肤效应的计算结果,考虑载流导体邻近与趋肤效应下的温升结果与实验结果吻合较好;在60 Hz条件下GIS的温升相对于50 Hz普遍有所升高但差别不大。
Subjects & Keywords
How to Cite this Article
宋浩永, 王炜, 黄青丹, et al. (2019). "载流导体邻近与趋肤效应及电流频率对三相共箱式GIS温升的影响". Gaoya dianqi.